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国内dram芯片排行

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第一,长江蓄水

作为一家集芯片设计、工艺研发、晶圆生产和测试、销售和服务于一体的半导体存储公司,长江半导体为全球客户提供先进的存储产品和解决方案,广泛应用于移动通信、计算机、数据中心和消费电子等领域。

长江记忆基于武汉鑫鑫现有的12英寸先进集成电路技术研发制造能力,于2017年采用自主研发与国际合作双轮驱动的方式,成功研发出国内首款3D NAND闪存芯片,填补了国内空白。

公司拥有3家3D NAND闪存晶圆厂,拥有世界上最大的单一洁净区,1座总部研发大楼和其他几座配套建筑。核心厂房占地面积约1717亩。项目建成后,预计总产能将达到每月30万件,2023年年产值将达到1000亿元。

长江存储发布了一款新的3D NAND架构XtackingTM,该架构将提高3D NAND闪存的I/O性能、存储密度和上市时间。目前,长江存储已将该技术应用于第二代3D NAND产品的开发。

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由福建电子信息集团有限公司、晋江能源投资集团有限公司共同投资成立的先进集成电路生产企业。公司与台湾联华电子开展技术合作,投资56.5亿美元,在福建省晋江市建设12英寸存储晶圆厂生产线,开发先进的存储技术和制造工艺,开展相关产品的制造和销售。

金华集成电路已被列入国家“十三五”重大集成电路产能布局规划,公司将以实现集成电路芯片国产化为己任,立志成为具有先进技术和自主知识产权体系的集成电路存储器(DRAM)制造企业。

据悉,福建金华集成电路公司的生产线设备安装将于三季度末完成,为规模化生产铺平道路。

三、昭义创新

上市公司,是国内首家专业从事存储器及相关芯片设计的集成电路设计公司。致力于设计开发各种高速低功耗存储器,高技术、低功耗、低成本是其产品特点。2008年成功开发出首款Serial Flash产品和首款GigaROM产品,打破了国外垄断,填补了国内空白。2012年,Serial Flash产品月销量首次突破70kk,生产工艺提升至65nm。串行闪存的市场占有率一直是国内第一。

主要产品为串行闪存和MCP,具有高可靠性、低功耗和便携应用的特点。公司拥有先进的生产线和强大的第三方产能支持,追求生产工艺的快速进步、技术水平的不断提高和生产成本的控制。产品广泛应用于手持移动终端、消费电子、个人电脑及外设、网络、电信设备、医疗设备、办公设备、汽车电子及工控设备等领域。

4. 合肥昌

瑞丽集成电路有限公司成立于2016年,旨在顺应国家加快发展集成电路产业的战略,依托合肥市政府和产业资本的大力支持,引进一流的人才和技术,研发自主知识产权,致力于成为中国第一家12英寸专业内存IDM企业。

公司汇集了集成电路行业的领导者、研发、设计和制造专家以及国际化的管理团队。秉承不断创新、廉洁诚信的理念,积极培养本土优秀人才,立志成为具有尖端技术开发能力和制造能力的“中国创造”典范企业。总投资80亿美元,计划2017年第三季度完成厂房建设,2018年实现正式投产。

目前,合肥长鑫12寸存储晶圆制造基地项目正处于加速建设阶段。该项目一旦投产,预计将占据全球DRAM市场8%左右的份额,从而填补国内DRAM内存在国内市场的空白。

五、紫光集团

紫光集团是中国仅次于华为的第二大集成电路技术公司,该公司已投资将自己定位为国内存储芯片的领导者。2016年以来,紫光集团先后在武汉、南京、成都开工建设总投资近千亿美元的存储芯片和存储器制造工厂,开启了10年千亿美元芯片制造产业的宏伟布局。

2016年7月,紫光集团与国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产业投资基金、湖北省科技投资集团在武汉新芯的基础上成立长江存储,形成对长江存储的控股。长江水库总投资将超过240亿美元,是紫光集团迄今为止最大的投资项目之一。

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