清洁

集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和设备的清洗。由于半导体生产对污染的要求非常严格，清洗过程需要消耗大量的高纯水，并广泛使用化学剂和有机溶剂进行特殊过滤和净化。

2. 热氧化

热氧化是在氧气气氛和惰性气体(N2)的作用下，在800~1250的高温下，将硅片表面的硅氧化生成二氧化硅薄膜的过程。所生产的二氧化硅用作扩散和离子注入的阻挡层或介电隔离层。典型的热氧化化学反应是Si + O2SiO2

3.扩散

扩散是将纯杂质原子添加到硅表面的过程。通常，硼烷(B2H6)用作N-源，磷烷(PH3)用作P+源。该过程通常分为两个步骤：沉积源和排出。

4. 离子注入

离子注入也是掺杂硅片的一个过程。其基本原理是将掺杂的物质(原子)离子化，在数千至数百万伏的电场电压下被加速，以更高的能量进入硅片或其他薄膜的表面。经高温退火后，注入离子活化，充当供体或受体。

5. 光刻技术

光刻包括涂布、曝光、显影等工序。涂覆是通过高速旋转硅片，将光刻胶均匀涂覆在硅片表面的过程。曝光是利用光刻胶机，通过掩模板照射被涂覆的硅片，使部分光刻胶被照射。此外，部分光刻胶未被照射，从而改变了光刻胶的性能。光照后的光刻胶和未光照后的光刻胶分别溶于显影剂和不溶于显影剂。

6. 湿腐蚀和等离子蚀刻

在光刻显影后，通过湿蚀刻或干蚀刻选择性地去除光刻胶下面的材料。湿式蚀刻或干式蚀刻后，应除去光刻胶。

反应法是在基材上腐蚀的过程，用不同的材料去除不同的物质。针对不同的物体，典型的防腐材料有：

用氢氟酸和硝酸(HF + HNO3)腐蚀硅(Si) ——

氢氟酸(HF)腐蚀二氧化硅(SiO2) ——

热磷酸(热H3PO4)腐蚀氮化硅(Si3N4) ——

干式蚀刻是在等离子体气氛中对衬底进行选择性蚀刻的过程，该气氛通常含有F等离子体或碳等离子体，因此蚀刻气体通常为CF4气体。

7. 化学气相沉积(CVD)

CVD用于在硅片上沉积氧化硅、氮化硅和多晶硅等半导体器件材料。它是在300至900的温度下通过化学反应生成这些材料的过程。典型的化学反应有：

SiH4 + O2SiO2 + 2h2o

在生长过程中，在添加磷的同时添加磷烷的反应如下：

4ph3 + 5o22p2o5 + 6h2

SiH2Cl2 + 2n2oSiO2 + 2n2 + 2hcl

化学气相沉积根据气相沉积反应的气氛和压力可分为低压气相沉积(LPCVD)、常压气相沉积(APCVD)和离子强化气相沉积(PECVD)。

8. 金属沉积

在硅衬底上沉积金属作为电路内引线的方法有蒸发、溅射、CVD等。溅射通常用于生产亚微米集成电路。铝是一种常用的金属沉积材料，其他材料包括金、钛、钼、钨、钛钨合金、钯、铜等也在一些器件中使用。

9. 化学机械抛光(CMP)

CMP是一种类似于机械抛光的抛光方法，一般用于制造三层或三层以上金属的集成电路芯片。对图样芯片进行化学机械抛光，使其形成一个平坦的平面，以减少多层结构造成的严重的表面形态不均匀，满足光刻时对聚焦深度的要求。

10. 背部变薄(BG)

在芯片生产过程中，芯片过薄不利于芯片生产。通常在切屑生产结束时，用细砂轮对切屑的背面进行打磨，使切屑减小到一定的厚度。