2n7002场效应管参数
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2n7002是N沟道增强型MOSFET场效应晶体管，特别适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制和功率MOSFET栅极驱动器等。
2n7002场效应管参数：
晶体管极性：N沟道
最大漏极电流（Id ）：280mA
最大电压（Vds ）：60V
功耗（Pd）：0.2W
开态电阻（Rds(on)）：5Ω
工作温度范围（Tj）：-55℃～+150℃
封装类型：SOT-23
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