说到RAM，我相信每个人都对它有所了解，但是您知道每个RAM是如何工作的以及它们有何不同吗？

我的介绍。

在计算机的结构中，有一个非常重要的部分，就是存储器。内存是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，具有内存、记忆功能，保证正常工作。

存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器。主存储器，简称存储器，在计算机存储器中起着重要作用，一般采用半导体存储器单元。因为RAM是最重要的内存，所以我们通常称之为内存。

内存是存储程序和数据的地方。例如，当我们使用WPS处理文档时，当你在键盘上键入字符时，它就存储在内存中。当您选择保存时，内存中的数据将存储在硬盘上。

2关于内存

RAM:随机存取存储器。RAM也叫存储器，与ROM相比，两者最大的区别在于RAM上存储的数据在断电后会自动消失，而ROM不会自动消失，可以长时间存储。

3.对静电敏感

像其他复杂的集成电路一样，RAM对环境的静电电荷非常敏感。静电会干扰存储器中电容的充电，造成数据丢失，甚至烧坏电路。因此，在接触随机存储器之前，请先用手接触金属接地。

4. 访问速度

现代随机存取存储器(RAM)具有几乎所有存取设备中最快的写入和读取速度，并且与其他涉及机械操作的存储设备相比，其存取延迟微不足道。

5. 需要刷新

现代随机存取存储器依靠电容器来存储数据。充满电的电容器表示1，未充电的电容器表示0。由于电容器或多或少会泄漏，如果不进行特殊处理，数据将随着时间的推移而逐渐丢失。

刷新是指周期性地读取电容的状态，然后根据原始状态重新转换为SRAM)

静态存储单元由连接在静态触发器上的门控管组成。因此，它通过触发器的自保存功能来存储数据。我们通常在一些开发板上看到它，例如：ISSI芯片。

2. 动态随机存取存储器

动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息，但由于栅极电容的容量很小，漏电流不能绝对等于0，因此限制了电荷存储时间。

为了避免存储信息的丢失，必须定期给电容器补充丢失的电荷。这个操作通常被称为“刷新”或“再生”，因此DRAM需要一个内部刷新控制电路，比静态RAM更复杂。

而DRAM存储单元因其结构简单、元器件少、功耗低等特点，已成为大容量RAM的主流产品。

4. 关于更快

在这一点上，有些读者可能会认为SDRAM=SRAM DRAM，这实际上是错误的。同步动态随机存取存储器，同步动态随机存取存储器。SDRAM是一种具有同步接口的动态随机存取存储器(DRAM)。

同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令传输和数据传输都基于它；动态是指存储阵列需要不断刷新，以防止数据丢失。随机是指数据不按线性顺序存储，而是按指定的地址进行读写。

目前168位带宽存储器全部采用3.3V电压的SDRAM芯片，存取速度最高可达7.5ns，而EDO存储器最快可达15ns。将RAM和CPU控制在同一时钟频率，使RAM与CPU外频同步，取消了等待时间，因此传输速度比EDO DRAM快。

SDRAM从发展至今经历了五代，分别是：第一代SDR SDRAM、第二代DDR SDRAM、第三代DDR2 SDRAM、第四代DDR3 SDRAM、第五代DDR4 SDRAM。

SRAM是一种静态随机存取存储器(RAM)，主要依靠触发器来存储数据而不进行刷新。另一方面，DRAM是动态随机存取存储器，它依赖于mosfet中的栅极电容器来存储数据，并且需要不断刷新以替换释放的电荷。

由于单管可以实现数据存储，集成度可以更高，功耗也更低，更加主流。请注意，DRAM不如SRAM快，因为刷新涉及到充电和放电电容器。

SDRAM属于DRAM的一种，其工作过程需要同步时钟的配合。因此，可以忽略路由延迟的影响，避免出现不确定状态。普通DRAM是一种异步传输系统。当数据被访问和存储时，必须等待几个时钟才能操作(考虑到不确定的状态)，因为需要花费很长时间，这会影响数据的传输速率。随着时钟频率的增加，这个瓶颈的限制变得更加明显，而SDRAM的优势变得更加明显。

(部分内容来自网络)

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