砷化镓，什么是砷化镓
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砷化镓是一种化合物半导体材料，分子式为GaAs。
立方晶系闪锌矿结构，即由As原子和Ga原子组成的面心立方晶格，其晶格常数为5.6419A。它是一种直接带隙半导体，室温带隙宽度为1.428eV，熔点为1238，质量密度为5.307g/cm3，电容为13.18。
砷化镓单晶的导带为双能谷结构，最低能谷位于第一布里渊区中心，电子有效质量为0.068m0(m0为电子质量，见载流子)，第二最低能谷位于lt111gt方向的L点，比最低能谷高约0.29eV，电子有效质量为0.55m0。价区顶部位于布里渊区的中心，价区轻空穴和重空穴的有效质量分别为0.082m0和0.45m0。
纯砷化镓晶体的电子迁移率和空穴迁移率分别为8000cm2/(Vs)和100-300cm2 /(Vs)，少数载流子的寿命为10-2 ~ 10-3s。
加入族族元素Te、Se、S或Si可得n型半导体，加入族元素Be、Zn等可得p型半导体，加入Cr或提高纯度可得电阻率达107 ~ 108cm的半绝缘材料。
近十年来，由于分子束外延和金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术的发展，可以在GaAs单晶衬底上制备异质结和超晶格结构。新型半导体器件，如高电子迁移率晶体管(HEMT)，异质结双极晶体管(HBT)和激光器可以用这些结构。砷化镓材料具有广阔的应用前景。
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