英特尔在一年一度的VLSI国际会议上公布了英特尔4制程节点的技术细节，它将高性能组件库的密度提高了一倍，与英特尔7相比，性能提高了20%。在檀香山举行的年度VLSI国际研讨会上，英特尔宣布了英特尔4进程节点的技术细节。相对于英特尔7制程节点的主要突破是，它可以在相同功耗的情况下将性能提高20%以上。并将高性能元件库单元的密度提高两倍。该技术预计将应用于开发中的产品，如流星湖处理器，并推进先进技术和编程模块。

英特尔4制程节点的特点是减少了关键尺寸，如FinFET翅片间距，接触间距和更低的金属间距，同时引入了设计技术，以最大限度地减少单个组件的尺寸。

另一方面，由于FinFET材料和结构的改进，单个n型或p型半导体中的鳍片数量可以从4个减少到3个，从而使Intel 4制程节点能够显著提高逻辑元件的密度，减少路径延迟并降低功耗。

Intel 7制程节点导入了自对齐四元模式(SAQP)和接触过活跃门(COAG)技术，以提高逻辑密度。前者通过1个微影和2个沉积蚀刻步骤，将晶圆上的微影图案减少了4倍，并且不存在多个重叠微影对准的问题。后者是将栅极触点直接置于栅极上方，而不是传统的栅极一侧，从而提高元件密度。

英特尔4进程节点进一步纳入网格布局方案，简化和规范电路路由，提高性能和产量。

随着工艺的缩小，晶体管上方的金属导线和触点也会缩小，导致导线的电阻变大。英特尔4制程节点使用增强型铜金属配方作为导线和触点的主体，并涂有钴和钽，以取代以前技术中使用的钴，以提高整体导电性和电迁移，从而导致电路故障。

英特尔还表示，除了延续在最关键层使用EUV的现有解决方案外，Intel 4制程节点将在互连层使用EUV，以大幅减少掩模数量和制程步骤，降低制程复杂性，并将推出全球首个量产的高数值孔径(High - na) EUV系统。

Intel 4和未来的Intel 3制程节点是基于FinFET的，而Intel 2制程节点将是基于GAA (Gate-全能，Gate全环晶体管)技术的RibbonFET。

采用Intel 4处理节点在流星湖小型计算单元芯片上进行了测试。

虽然英特尔正在通过“改变”工艺节点的名称来追赶，但英特尔官方在2020年9月的架构日活动上详细解释说，命名规则是基于晶体管密度的，因此名称的改变将使其工艺节点技术更类似于台积电，三星和其他晶圆厂的名称。

从目前公开宣布的情况来看，代号为猛禽湖(Raptor Lake)的第13代酷睿将继续使用英特尔7处理器节点，而更新的英特尔4处理器节点要到代号为流星湖(Meteor Lake)的第14代酷睿预计将于2023年推出。