mos管工作原理
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MOS管的工作原理
增强型MOS管在漏极D和源极s之间有两个背对背PN结，当栅源电压VGS=0时，即使漏极源电压VDS，也始终有一个PN结处于反向偏置状态，漏极源电极之间没有导通通道(没有电流流过)，因此漏极电流ID=0。
此时，若在栅极-源电极之间加正向电压VGS0，则栅极与硅衬底之间的SiO2绝缘层将产生栅极指向p型硅衬底的电场。由于氧化层是绝缘的，栅极施加的电压VGS不能形成电流，因此在氧化层的两侧形成电容器。VGS相当于给电容器充电，形成电场。随着VGS逐渐升高，受到电网正电压的吸引，大量电子聚集在电容器的另一侧，形成从漏极到源极的n型导电通道。当VGS大于管的开启电压VT(一般在2V左右)时，N沟道管开始开启，形成漏极电流ID。通道形成开始时的栅源电压称为开路电压，一般用VT表示。
通过控制栅极电压VGS的大小来改变电场的强度，从而达到控制漏极电流ID大小的目的。这也是MOS管电场控制电流的一个重要特性，因此又称为场效应管。
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