硬件型号：Risym1N4733

系统版本：半导体系统

稳压二极管的参数有：稳压；Iz:额定电流；Rz:动态电阻；Pz:额定功耗；:温度系数；IR:反漏电流。

1.Uz:电压稳定

是指稳压管两端通过额定电流时产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度略有变化。由于制造工艺的差异，同一型号的调节管的稳定压力值并不完全一致。例如，2CW51稳压器的Vzmin为3.0V, Vzmax为3.6V。

2.“Iz”:额定电流

指稳压器产生稳定电压时通过的电流值。低于此值，调节阀虽然也能稳定压力，但效果会变差；高于此值，只要不超过额定功率损耗，也是允许的，而且稳压器的性能会更好，但要消耗更多的能量。

3.Rz:动态电阻

稳压管两端电压变化与电流变化的比值。该比值随工作电流的变化而变化。一般工作电流越大，动态电阻越小。例如，当2CW7C稳压器工作电流为5mA时，Rz为18。当工作电流为10mA时，Rz为8。当为20 Ma时，Rz为2。该值基本维持在20mA。

4.Pz:额定功耗

它由芯片的允许温升决定，其值为稳定电压Vz与最大允许电流Izm的乘积。例如，2CW51稳压器的Vz为3V, Izm为20mA，则稳压器的Pz为60mw。

5. :温度系数

如果调节管的温度发生变化，其稳定电压也会发生轻微的变化。温度变化1引起的管两端电压的相对变化为温度系数(单位：%/)。一般来说，6V以下的稳定电压值属于齐纳击穿，温度系数为负；对于大于6V的雪崩击穿，温度系数为正。当温度升高时，损耗层减小。在耗尽层，原子的价电子上升到更高的能量，较小的电场强度可以激发原子的价电子产生齐纳击穿，因此其温度系数为负。当耗尽层宽电场强度较低时发生雪崩击穿，温度的升高使晶格原子的振动幅度增大，阻碍载流子的运动。在这种情况下，只有增加反向电压才能发生雪崩击穿，因此雪崩击穿的电压温度系数为正。这就是为什么15V稳压器的稳定值随着温度的升高而逐渐增大，而5V稳压器的稳定值随着温度的升高而逐渐减小。例如，2CW58稳压器的温度系数为+0.07%/，即温度每升高1，其稳压器值将升高0.07%。

在对电源要求较高的场合，可以采用对侧调节管的两个温度系数作为补偿。由于相互补偿，温度系数大大降低，使温度系数可达0.0005%/。

6.IR:反漏电流