仅仅19个月后，三星宣布将再次升级，并开始批量生产第五代闪存——3D V-Nand，这一黑科技让三星领先业界两年多。处理速度达到每秒1.4千兆比特，比第四代快40%。在这个时代，几乎每个行业都有各种各样的领跑者，他们扮演着大哥的角色，战无不胜。

闪存是一种非易失性存储器，即使在电源关闭后也能保留芯片上的信息。与易失性存储器(DRAM、SRAM)相比，它具有系统内电可擦除和可重复编程、低成本、高密度等优点。人们一直热衷于对闪存的研究。通过对本文发表网站的搜索可以看出，对闪存的研究从1994年开始逐渐增多，并在2005年达到顶峰。

早期移动设备的存储容量只有几个K，后来又经历了USB小密钥、USB live硬盘，直到Flash作为存储介质才真正可以“移动”闪存和USB闪存。闪存主要由存储元件和闪存控制器组成。存储单元通过在浮栅中存储电荷来存储数据。氧化层的绝缘性保证了闪存中的数据在断电时不会丢失。当然，闪存也有它的局限性：它必须在被重写之前被擦除；2. 擦除块的数量有限。尽管如此，图灵奖得主格雷预测，“闪存将取代磁盘，就像磁盘取代磁带一样。”

又一次领先

U盘，全称USB闪存盘(USB flash disk)，其实就是一个闪存盘。顾名思义，允许通过USB(通用串行总线)传输数据。闪存按类型分，包括：U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe闪存卡等。所以，不要担心USB和闪存之间的异同。它是关于U盘专利的故事比较有趣：U盘早期被称为“闪存盘”，之后生产的类似技术设备由于荣科专利注册，而不能再被称为“闪存盘”，而被称为谐音的“U盘”。