硬件型号：Risym BTA16-600B

系统版本：半导体系统

晶闸管参数包括正向转换电压VBO、关断重复峰值电压VDRM、通状态平均电流IT、反向击穿电压VBR、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、栅触发电压VGT、栅触发电流lGT、栅反电压、维护电流lH、关断重复峰值电流IDR和反向加权复合峰值电流IRRM。

(-)正向过渡电压VBO

可控硅VBO正转电压是指在额定结温为100，栅极(G)打开的情况下，在正极(A)和正极(K)之间加正弦半波正转电压，使可控硅由关断状态变为导通状态时的峰值电压。

(2)断态重复峰值电压VDRM

断态重复峰值电压VDRM是指晶闸管向前阻断时，A、K(或T1、T2)电极间允许的最大峰值电压。这个电压大约是正向转换电压减去100V的值。

(3)平均通状态电流IT

平均导通电流IT是指晶闸管在规定的环境温度和标准散热条件下正常工作时，A电极与K电极(或T1电极与T2电极)之间的平均允许电流。

(4)反击穿电压VBR

反向击穿电压是指在额定结温下，在晶闸管的正极和负极之间施加正弦半波反向电压，反向漏电流急剧增加时的峰值电压。

(五)反向重复峰值电压VRRM

反向重复峰值电压VRRM是指断开栅极G时，A极与K极之间允许的最大反向峰值电压。这个电压大约是反向击穿电压减去100V后的峰值电压。

(6)正向平均压降VF

正向平均压降VF，又称导通平均压降或导通压降VT，是指在规定的环境温度和标准散热条件下，通过晶闸管的电流为额定电流时，正极A与正极K之间的平均压降，通常为0.4 ~ 1.2V。

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栅极触发VGT是指在规定的环境温度和晶闸管正极之间有一定的正电压的条件下，晶闸管由阻断状态变为导通状态所需的最小栅极直流电压，一般为1.5V左右。

(8)栅极触发电流lGT

栅极触发电流(IGT)是在规定的环境温度和晶闸管正极之间有一定电压的条件下，使晶闸管由阻断状态变为导通状态所需的最小栅极直流电流。

(9)栅极反向电压

栅极反向电压是指施加在晶闸管栅极上的额定电压，一般不超过10V。

(10)保持电流lH

维持电流lH是保持晶闸管打开的最小电流。当正向电流小于H时，开关晶闸管自动关断。

(10 -)断态重复峰值电流IDR

关断重复峰值电流IDR是指晶闸管在关断状态下的最大平均正向漏电流值，一般小于100uA。

(12)反向重复峰值电流IRRM

反向重复峰值电流IRRM是指可控硅在关断状态下的反向最大泄漏电流值，一般小于100uA。