场效应管的参数有哪些
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硬件型号：RisymAO3400
系统版本：半导体系统
场效应管的参数为：开路电压UT (MOSFET)、截断电压UP (JFET)、饱和漏极电流IDSS (JFET)、直流输入电阻RGS、跨导Gm和最大漏极功耗。
1、开路电压UT (MOSFET)
一般来说，导通通道刚刚形成时漏极电流ID发生时对应的栅极源电压称为开启电压，用UGS (th)或UT表示。通断电压UT是MOS增强管的一个参数。当栅源电压UGS小于开启电压的绝对值时，场效应管不能导通。
2、箝位电压UP (JFET)
当UDS设置为固定值(如10V)，且ID为小电流(如50mA)时，则栅极与源极之间的电压为截断电压。当UGS=UP时，漏极电流为零。
3.饱和漏极电流IDSS
饱和漏极电流IDSS为UGS=0条件下场效应管预夹时的漏极电流。可由IDSS型场效应管输出的最大电流。
4、直流输入电阻RGS
0
5. 通用汽车跨导
漏极电流微变量与栅源电压微变量之比为gm=ID/UGS。它是衡量场效应管栅极源电压对漏极电流控制能力的一个参数。gm相当于三极管的hFE。
6. 最大漏功率消耗
最大漏极功率PD=UDSID，相当于三极管的PCM。
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