硬件型号：Risym1N4007

系统版本：半导体系统

整流二极管常用参数：

(1)整流最大平均电流中频：指二极管长时间工作时允许通过的最大平均正向电流。电流由PN结面积和散热条件决定。需要注意的是，通过二极管的平均电流不应大于此值，且要满足散热条件。例如，1N4000系列二极管的中频为1A。

(2)最大反向工作电压VR:指二极管两端允许的最大反向电压。如果该值大于此值，则反向电流(IR)急剧增加，二极管的单向电导率被破坏，导致反向击穿。通常取反击穿电压(VB)的一半为(VR)。例如：1N4001为50V, 4002-1N4006为100V、200V、400V、600V、800V, 1N4007为1000V。

(3)最大反向电流IR:在最高反向工作电压下允许流过二极管的反向电流。该参数反映了二极管的单向电导率。所以电流值越小，二极管质量越好。

(4)击穿电压VB:指二极管反伏安特性曲线尖角弯曲处的电压值。当反向为软时，是指给定的反向漏电流条件下的电压值。

(5)最高工作频率fm:是二极管在正常情况下的最高工作频率。它主要由PN结的结电容和扩散电容决定。如果工作频率超过fm，二极管的单向电导率就不能很好地反映出来。例如，1N4000系列二极管的调频为3kHz。另一种快速恢复二极管用于高频交流电的整流，如开关电源。

(6)反向恢复时间trr:指在规定负载、正向电流和最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。

(7)零偏电容CO:是指二极管两端电压为零时扩散电容与结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使是同一类型的二极管，其参数的色散也很大。手册中给出的参数往往在一个范围内，如果测试条件发生变化，该范围将发生变化。例如，1N5200系列硅密封整流二极管在25C时的IR小于10uA，在100C时小于500uA。