硬件型号：Sedros SC4001线性输出霍尔芯片

系统版本：片上系统

霍尔元件的工作原理是在电流通过箔片时施加一个垂直于电流的磁场，在箔片的两侧造成横向电位差。霍尔效应在半导体中比在箔中更为明显，铁磁性金属在居里温度下表现出较强的霍尔效应。

由于通电导线周围有磁场，其大小与导线中的电流成正比，所以可以用霍尔元件来测量磁场，就可以确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计霍尔电流传感器。其优点是不与被测电路电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适用于大电流传感。

如果霍尔元件放置在一个电磁场与电场强度E和磁场强度H,当前我将生成的元素，和大厅上同时产生电位差元素正比于电场强度E的磁场强度测量电磁场，功率密度的瞬时值P的电磁场可以由P=呃。

霍尔元件一种应用霍尔效应的半导体。所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金导体或半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是由美国物理学家霍尔于1879年发现的。如果在垂直于通过箔的电流方向上施加磁场，则在箔的两侧之间将存在横向电位差。霍尔效应在半导体中比在箔中更为明显，铁磁性金属在居里温度下表现出较强的霍尔效应。

霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器。它们可用于探测磁场及其变化，可用于各种与磁场有关的场合。霍尔元件具有结构牢固、体积小、重量轻、寿命长、安装方便、功耗低、频率高(可达1MHZ)、耐振动、不怕灰尘、油、水蒸气和盐雾污染或腐蚀等诸多优点。

霍尔元件可以由多种半导体材料制成，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP，以及多层半导体异质结构量子阱材料等。

在半导体中，电子迁移率(电子定向运动的平均速度)高于空穴迁移率，因此n型半导体更适合制作敏感霍尔元件。

常用的半导体材料有n型硅、n型锗、锑化铟、砷化铟以及亚砷酸铟和磷酸铟等型固溶体。

其中，n型锗易于加工，霍尔常数、温度性能和输出线性度均较好。锑化铟元件由于在高温下霍尔常数大，所以产量大，但对温度最敏感，特别是在低温温度系数范围内。砷化铟的霍尔常数小，温度系数小，输出线性度好。砷化镓具有良好的温度特性和线性输出，是一种理想的材料，但价格较贵。不同的材料适用于不同的场合，锑化铟适用于灵敏元件，锗和砷化铟霍尔元件适用于测量指示仪表。