FLASH FLASH存储器是一种非易失性存储器，它的名字有闪烁、闪烁的意思，也体现了它读写快的特点，即“读写过程快闪”。让我们首先简要介绍一下FLASH的发展。

1. 在计算机发展的早期，BIOS存储在ROM(只读存储器)中。ROM内部信息是在ROM制造过程中，在工厂用特殊方法刻录的，其中的内容只能读取不能更改，一旦刻录，就不能做任何修改。而且由于ROM是在生产线上生产的，成本较高，一般只在批量应用中使用。

2. ROM制造和升级的不便导致了PROM(可编程ROM)的发明。用户可以使用专门的程序员编写数据，但只能编写一次，并且一旦编写完成，就不能修改数据。而且它的成本比ROM高，而且写入数据的速度比ROM慢，一般只适用于少量需求或ROM产前验证的场合。

3.可擦可编程ROM(EPROM)芯片提供可重复的可擦可编程ROM，解决了ROM和PROM芯片只能写入一次的缺点。EPROM芯片可以实现重复擦除和写入，但EPROM的擦除和写入需要专用的擦除器和编程器。

4. 后来，引入了EEPROM(电可擦可编程ROM)来解决必须使用专用设备进行EPROM可擦写入的缺点。EEPROM擦除不需要其他设备的辅助，它是根据电子信号来修改其内容，并以字节为最小修改单位，不需要清洗所有的数据来写入，完全摆脱了EPROM擦除器和程序员的束缚。

5.FLASH ROM在使用上与EEPROM非常相似，因此，有些书将FLASH ROM作为EEPROM的一种，可以称之为宽EEPROM，而窄EEPROM则将两者分开。事实上，这是有区别的。在擦除FLASH ROM时，还需要执行一个特殊的刷新程序。但在删除数据时，不以Byte为基本单位，而是以Sector(也称Block)为最小单位。扇区的大小因制造商的不同而不同。只有在写入时才使用字节作为最小单位。FLASH ROM的存储容量一般比EEPROM大。

FLASH的一些基本概念。

一个设备可以包含一个或多个die (lun)。芯片是一个具有完整闪存芯片功能的模块。与有一个模具的器件相比，未封装的器件为模具，封装的器件为器件。Die可以包含多个平面，每个平面具有独立的读、写和擦除功能，但多个平面可以共享共同的控制逻辑寄存器，即在Die中，可以同时在多个平面上执行相同的操作。平面的最小擦除单位是块，一个块包含多个页。在同一BL下的所有页面形成一个块。

页是能够执行编程和读取操作的最小单元。同一WL上的所有数据都是页，而WL就是页。Cell是页面中最小的操作擦除和读取单元，与可存储1bit或更多数据的浮栅晶体管相对应。

FLASH层次图

根据FLASH的内部存储结构，FLASH可分为NOR型和NAND型两种。英特尔于1988年首次开发了NOR闪存技术，电可擦可编程只读存储器(EPROM)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)是电可擦可编程只读存储器(EPROM)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)的完全转变。1989年，东芝发布了NAND闪存结构，强调更低的每比特成本，更高的性能，并且可以通过像磁盘一样的接口轻松升级。

从字面上看，NOR表示非或或无门，因为对于NOR闪存来说，只有当字线和位线都低时，相应存储单元的数据才高。

NAND不是AND，因为只有当字线高时位线才低。为了了解什么是位线，什么是字线，请看下面两张图，

WORD对应字行，Bit对应位行。

NOR闪存结构图

NAND闪存结构

FLASH操作一般分为读、写、擦除，NOR和NAND FLASH操作也不同。NOR FLASH利用通道热电子注入(CHE)写入数据，利用F-N隧道效应擦除数据。在NAND闪存中，写入和擦除是利用F-N隧道效应实现的。

F-N隧穿效应是一个非常先进的量子理论，但它很早就被日本人在1957年发现了。

由于存储结构的不同，NOR闪存和NAND闪存也表现出许多不同的特性：

1. 容量和成本NOR闪存在1到4MB的小容量中非常经济有效。在大容量情况下，NAND闪存的单位容量成本较低

2、性能差异NOR擦除写慢，读快，可以直接运行代码，NAND擦除写快，读慢，需要先将程序读入RAM后再执行。

3.接口差异闪存与RAM没有相同的接口，而nand闪存使用I/O端口进行串行数据访问。

4. 易用性：flash不能直接使用基于flash的内存，代码可以直接在其上运行，而使用nand闪存需要在执行之前写入驱动程序并将程序读入RAM。

5. 持久性nand闪存中每个块的最大擦除写次数为1,000,000，而非flash的最大擦除写次数为100,000。

6、两者的主要目的区别也决定了它们的使用范围，在BIOS、可穿戴设备、汽车电子等不需要频繁擦写，且容量要求低的场合，NOR FLASH被采用。而在人们常用的U盘中，一些工业设备如PLC、HMI等，一般都采用NAND闪存。综上所述，两者的区别可以总结如下表。