三极管是模拟电路的基础，需要重点了解，以NPN型三极管为介绍对象。

三极管直流增益hFE

上图中NPN三极管的基极、集电极和发射极电流满足IE=IB+IC的关系，满足基尔霍夫电流定律。三极管的直流增益为hFE=IC/IB。该参数描述了三极管放大电流的能力。需要注意的是，hFE参数不是恒定的，在不同的试验条件下其数值是不同的，应根据具体三极管数据手册中给出的相关表格确定。由于hFE直流增益参数反映了三极管的电流放大能力，当然可以通过增加基极电流来增加集电极电流，但集电极电流不应超过三极管数据手册中给出的最大值，否则有烧毁三极管的危险。

三极管输入特性曲线

首先，图中所示的电路图是在multisim中构建的。图中Q1为NPN型三极管(即BE结为PN二极管)。因此，为了使三极管Q1起到电流放大的作用，发射结之间的电压应达到0.7V以上。将R2电阻调整到30%，电压表显示发射极电压为0.713V。此时三极管Q1导通，起到电流放大的作用(三极管截止的集电极电流只有几毫安)。继续调整R2电阻使晶体管处于导通状态，我们会发现集电极电流变化明显，而发射结之间的电压几乎没有变化。这是晶体管的输入特性，曲线如下所示。

三极管输出特性曲线

晶体管的输出特性：当基极电流一定时，集电极电流IC与集电极-发射极电压的关系UCE曲线，根据不同的基极电流IB，晶体管的输出特性将会是一组曲线，如图所示。

三极管的输出特性分为饱和区、放大区和截止区三种状态。

饱和区：当三极管工作在饱和区时，基极-发射极和基极-集电极正偏置。从图中可以看出，饱和区三极管集电极电流IC随着UCE的增加而增加，特别是当UCE几乎为零时，IC的增加速率明显。当集电极电流IC超过一定值时，三极管的直流增益hFE将降低。当直流增益hFE降至正常值的三分之二时的集电极电流称为三极管的最大集电极电流。

放大区：晶体管工作在放大区时，基极-发射极处于正置偏置，基极-集电极处于反置偏置(因为UCE大于0.7V)。此时，晶体管的集电极电流IC变化非常缓慢，也就是说晶体管的集电极电流IC等于直流增益hFE与基极电流IB的乘积，基极开路时集电极与发射极之间施加的最大允许电压成为集电极-发射极反向击穿电压。当UCE大于集射极反向击穿电压时，将导致晶体管击穿(相当于PN结加反向偏置电压超过最大反向电压时二极管击穿)。三极管数据手册上给出的集射反击穿电压一般为常温下25的值，随环境温度的升高而降低。使用时要特别注意。

截止区：显然三极管基极-发射极处于反向偏置，基极电流IB等于0。

一般情况下，三极管截止相当于开一个开关(无限电阻)，所以三极管集电极电流IC等于零；当一个三极管饱和时，它相当于一个开关被接通(电阻很小)，所以三极管的集电极和发射极之间的电压几乎为零。集电极电流集成电路在通过集电极结时会产生热量，引起三极管的参数变化。当三极管因加热引起的参数变化不超过允定值时，集电极小号的功率等于IC与UCE的乘积。